IPL65R460CFDAUMA1

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规格书
安装风格	SMD/SMT
配置	Dual Common Source
典型关闭延迟时间	38 ns
源极击穿电压	30 V
连续漏极电流	8.3 A
系列	XPL65R460
RDS（ON）	0.414 Ohms
封装	Reel
功率耗散	83.3 W
最低工作温度	- 40 C
封装/外壳	VSON-5
栅极电荷Qg	31.5 nC
零件号别名	SP000949260
上升时间	7 ns
最高工作温度	+ 150 C
漏源击穿电压	650 V
下降时间	8 ns
工厂包装数量	3000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	650 V
晶体管极性	N-Channel
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V
宽度	8 mm
Qg - Gate Charge	31.5 nC
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
品牌	Infineon Technologies
通道数	2 Channel
商品名	CoolMOS
晶体管类型	2 N-Channel
Id - Continuous Drain Current	8.3 A
长度	8 mm
Rds On - Drain-Source Resistance	460 mOhms
身高	1.1 mm
典型导通延迟时间	10 ns
Pd - Power Dissipation	83.3 W
技术	Si

型号	厂家	产品描述
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